危險困境，針對先進制程和其配套的設(shè)備和材料，更是急切需要解決國產(chǎn)化問題。十四五規(guī)劃針對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個關(guān)鍵“卡脖子”環(huán)節(jié)，可能將會在產(chǎn)線建設(shè)、稅收優(yōu)惠、鼓勵研發(fā)創(chuàng)新、成立集成電路一級學(xué)科、引導(dǎo)市場資源+成立基金方面形成組合拳，來鼓勵國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展進步，并實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展。
中國對于半導(dǎo)體的投入力量巨大。SEMI日前發(fā)布了半導(dǎo)體設(shè)備市場年終預(yù)測報告，據(jù)SEMI統(tǒng)計，中國大陸在晶圓代工和存儲器業(yè)務(wù)投資持續(xù)押注下，今年將首次躍居全球半導(dǎo)體設(shè)備消費市場首位，韓國則在存儲器投資復(fù)蘇和邏輯芯片投資增加的推動下，有望在2021年領(lǐng)先全球。
國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上的追趕也全面展開。第一上海近日的研報就指出，不同于之前市場的主要目光都集中在中芯國際的制程追趕上，由于美國禁令的不斷加劇，目前中國半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)開始從生產(chǎn)端向上游加速進行技術(shù)追趕和替代，目前這一趨勢已經(jīng)延續(xù)到半導(dǎo)體設(shè)備，并向半導(dǎo)體材料不斷擴張。
以從設(shè)備端為例，除了刻蝕環(huán)節(jié)和薄膜淀積環(huán)節(jié)，其余流程包括離子注入整體仍然存在較明顯的制程差距?？梢灶A(yù)期，在美國進行禁令限制的背景下，國產(chǎn)廠商基本可以完成40nm制程的產(chǎn)能建設(shè)，并可能可以實現(xiàn)28nm的制程建設(shè)。
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